观点网讯：8月7日，SK海力士在韩国交易所披露，董事会已批准总额超54万亿韩元（约380亿美元）的韩国本土芯片业务扩张计划，拟在龙仁、清州两地新建晶圆厂，以应对中长期存储器市场需求。
根据披露，SK海力士计划投资35.2万亿韩元（约249亿美元），在龙仁半导体产业园建设第二阶段芯片工厂，投资将于2031年10月31日前完成；另计划投资19.1万亿韩元（约134.7亿美元）建设清州M17芯片厂，投资将于2031年4月30日前完成。
两座工厂分工明确：龙仁Y2晶圆厂将成为DRAM生产基地，预计明年7月动工，首个无尘室计划于2029年6月启用，用于生产高带宽内存（HBM）及其他下一代DRAM产品；清州M17晶圆厂将成为NAND晶圆厂基地，预计明年2月动工，首个无尘室计划于2028年12月启用。
清州园区目前已设有M11、M12及M15晶圆厂，M17工厂可利用已落成的电力及水利基础设施，与现有产能形成协同。此次建厂亦是落实SK海力士去年6月公布的中长期投资策略。
投资节奏方面，SK海力士表示将基于与客户的中长期需求沟通，前瞻性布局生产基础设施，并按客户实际需求时点分阶段扩大生产能力；晶圆厂建设按计划推进，无尘室扩建及设备投入则依据市场动态逐步实施，以提升投资效率。
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