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存储芯片:从架构演进到工艺突破的底层逻辑
存储芯片:从架构演进到工艺突破的底层逻辑很多人以为存储芯片的性能提升仅依赖制程节点缩小,其实不然——在3D NAND堆叠突破200层后,单纯依靠堆叠层数已无法线性提升存储密度,必须通过阵列架构创新与材料科学突破协同推进。以三星V9 NAND为例,其采用双堆叠架构(Dual Stack)将逻辑层与存储层分离,通过混合键合(Hybrid Bonding)技术实现0.5μm级微凸点互联,使存储密度较上一
2026-07-19
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史诗级抄底再现!
(来源:ETF进化论) 全球资本市场的惊魂一周,以“黑色星期五”惨烈落下帷幕。 作为全球半导体产业风向标的费城半导体指数,周五盘中一度暴挫5.7%,尽管尾盘收复部分失地,但最终收跌1.6%,正式宣告跌入技术性熊市。本周累计跌幅逼近10%,创下自2025年4月“全球对等关税日”以来最惨淡的单周表现。 大洋彼岸的日本股市同样未能幸免,日经225指数周五重挫4%,其中芯片巨头铠侠单日暴跌逾16
2026-07-18
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国务院国资委:国资央企要持续攻关基础算法、物理AI、智算芯片、量子通信等原创性技术
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