（来源：半导体芯情）
AI带来的巨大存储产能需求，给半导体行业带来了机遇和挑战。SK集团会长、大韩商工会议所会长崔泰源日前在济州论坛期间举行的媒体座谈会上表示，明年全球半导体需求将大幅增长，其中人工智能（AI）领域需求预计较今年增加60%至100%，整体半导体产品需求也将增长至少50%至60%。但明年新增供应量几乎为零，供需缺口恐进一步扩大。投资机构Jefferies预计，DRAM价格实质性放缓最早要到2028年。
芯片产能稀缺，扩产也是个老大难题，原厂加速扩产。韩国产业通商资源部7月2日宣布，将向忠清中部地区注入392万亿韩元的产业投资。在总投资中，三星旗下各子公司将注入约140万亿韩元，用于HBM晶圆厂、先进封装、OLED生产及电池线的建设；SK海力士计划投资约100万亿韩元建设NAND和先进封装厂；生物制药公司Celltrion拟投入约2万亿韩元用于生物制药设施。此外，还有约150万亿韩元将流向AI数据中心。韩国政府承诺将提供融资、税收优惠和监管支持以确保项目落地。
SK海力士公司明确表示将加快在高带宽内存(HBM)等前沿领域的投资进度，以应对下半年客户新产品的内存需求增长。
在AI算力需求爆发的大背景下，以HBM为代表的先进存储产品供不应求，正驱动存储厂商开启前所未有的产能扩张与技术升级。崔泰源的公开表态，被市场视为全球存储芯片产业新一轮大规模资本支出周期启动的关键标志。
分析师表示，存储芯片的供需格局同样紧绷。SK海力士2026年全年的HBM及全系列存储芯片产能已全部被客户抢订一空。三大存储厂商正规划于2027至2028年间大规模释放HBM与DRAM产能。摩根大通指出，包括美光、SK海力士和三星在内的内存芯片制造商，其高带宽内存（HBM）供应已售罄至2026年，新的晶圆产能预计要到2028年之后才能实质性到位。AI数据中心今年预计将消耗全球约70%的内存芯片产量。
瑞银7月发布的存储芯片月度报告显示，存储芯片月销售额达创纪录的746亿美元。2026年HBM需求同比增长90%，预计2027年将再增长77%。2026年被视为“HBM超级周期”元年，全球HBM3E/HBM4产能已被英伟达、AMD及云厂商长期锁定，供需缺口高达50%—60%。
DigiTimes报告显示，HBM生产周期长达四到六个月，初始良率显著偏低，且生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍。下一代HBM4价格预计从2026年下半年的约2美元/千兆比特涨至4至5美元及以上。全球HBM三大生产商正与一级AI客户签订三到五年的长期协议锁定供应。
当前全球人工智能基础设施加速构建，ChatGPT引发的技术变革促使多国建立独立AI体系，这一趋势直接推动HBM需求。作为英伟达(NVDA.US)AI处理器关键供应商，SK海力士在HBM领域的领先地位进一步巩固，Counterpoint研究总监MS Hwang指出："创纪录业绩核心动力来自HBM，同时彰显公司在DRAM和NAND整体内存市场的领导力提升。"
东吴证券认为，AI驱动先进逻辑与存储扩产，资本开支进入新一轮上行周期。在AI算力需求爆发背景下，全球半导体设备市场规模持续创新高。存储端，HBM带动DRAM高阶制程升级，3DNAND向400层以上堆叠演进，单万片产能投资额同步提升。中国大陆晶圆产能全球占比仍低于销售占比，逻辑与存储龙头资本开支维持高位。
针对HBM产品布局，SK海力士介绍，下一代HBM产品HBM4的开发已从初期阶段就与主要客户紧密合作，搭建完成开发与供应体系，将按照客户的量产计划及时供货；后续还计划于2026年下半年向客户供应HBM4E样品，目标2027年实现HBM4E量产。产能建设方面，SK海力士已启动位于韩国清州的P&T7工厂建设，该工厂总投资19万亿韩元，厂区规模约23万平方米，将专门用于HBM等AI内存所需的高级封装工艺。
SK海力士崔泰源预测，继能源和电力设备之后，材料供应和设施建设或成为制约产业发展的新瓶颈。他说，随着AI产业发展，电线及相关材料可能出现短缺，目前相关产品价格已经上涨，海底电缆也供不应求。由于建设规格每隔一两年就会发生变化，施工难度也在加大。
